Infineon Technologies IRL6297SDTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SA

引脚数

8

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.7W

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.9m Ω @ 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 35μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2245pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

15A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅