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DMN2008LFU-7备选型号: IRL6297SDTRPBF
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- 功率耗散
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN203017 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1W无铅未说明未说明R-PDSO-N6COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1W2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING5.4m Ω @ 5.5A, 4.5V1.5V @ 250A1418pF @ 10V42.3nC @ 10V20V14.5A0.0096Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-------
MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SA-2-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013-活跃1 (Unlimited)-EAR99-1.7W-----增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)-4.9m Ω @ 15A, 4.5V1.1V @ 35μA2245pF @ 10V54nC @ 10V20V15A--METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant8HEXFET®1.7W800mV20V无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC8588 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET | 对比 |
| IRL6297SDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | DirectFET™ Isometric SA | MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET | 对比 |
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