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首页 全部分类 DMN2008LFU-7 vs IRLHS2242TRPBF

DMN2008LFU-7备选型号: IRLHS2242TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 电阻
  • 端子位置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2008LFU-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1W
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N6
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    5.4m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250A
    1418pF @ 10V
    42.3nC @ 10V
    20V
    14.5A
    0.0096Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLHS2242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    SILICON
    7.2A Ta 15A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 8.5A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    877pF @ 10V
    12nC @ 10V
    20V
    7.2A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6
    HEXFET®
    31MOhm
    DUAL
    9.6W
    7.9 ns
    54ns
    ±12V
    66 ns
    -800mV
    12V
    -20V
    34A
    -800 mV
    无SVHC
    无
    无铅
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