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DMN2016LFG-7备选型号: DMN2014LHAB-7
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerUDFN8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR9918mOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY770mW26040DMN2016LAEC-Q101S-PDSO-N52Dual增强型MOSFET2.6 ns2 N-Channel (Dual) Common DrainSWITCHING18m Ω @ 6A, 4.5V1.1V @ 250μA1472pF @ 10V16nC @ 4.5V13.2ns20V46.8 ns5.2A8VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad7-9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4-活跃1 (Unlimited)-EAR99-Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-800mW26030------6.9 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain-13m Ω @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V16nC @ 4.5V15.5ns20V12 ns9.3A12V-逻辑电平门--ROHS3 Compliant-600μm3.05mm2.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG8601UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerUDFN | Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8 | 对比 |
 | DMP2066UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | 对比 |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |
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