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首页 全部分类 DMN2016LHAB-7 vs NTLTD7900ZR2G

DMN2016LHAB-7备选型号: NTLTD7900ZR2G

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  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LHAB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    U-DFN2030-6
    7.5A
    2013
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.2W
    2
    Dual
    6.9 ns
    1.2W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    15.5mOhm @ 4A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1550pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    15.5ns
    20V
    12 ns
    7.5A
    12V
    20V
    1.55nF
    逻辑电平门
    30mOhm
    15.5 mΩ
    600μm
    2.05mm
    3.05mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    -
    2
    2009
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    -
    1.17 ns
    6A
    12V
    20V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    -
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    SILICON
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    防静电
    20V
    无铅
    260
    9A
    40
    NTLTD7900Z
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    6A
    0.026Ohm
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无铅
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