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首页 全部分类 DMN2023UCB4-7 vs DMG5802LFX-7

DMN2023UCB4-7备选型号: DMG5802LFX-7

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  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2023UCB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, WLBGA
    4
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.564nF
    1.45W
    未说明
    未说明
    1
    10 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    1.3V @ 1mA
    3333pF @ 10V
    37nC @ 4.5V
    20ns
    24V
    29 ns
    6A
    12V
    Standard
    27mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG5802LFX-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VFDFN Exposed Pad
    6
    32.18 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    980mW
    260
    40
    -
    3.69 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    1.5V @ 250μA
    1066.4pF @ 15V
    31.3nC @ 10V
    13.43ns
    24V
    22.45 ns
    6.5A
    12V
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e4
    yes
    6
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    FLAT
    6
    增强型MOSFET
    980mW
    SWITCHING
    15m Ω @ 6.5A, 4.5V
    0.015Ohm
    24V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.1mm
    5.1mm
    800μm
    无SVHC
    无
    无铅
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