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首页 全部分类 DMN2023UCB4-7 vs FDZ1416NZ

DMN2023UCB4-7备选型号: FDZ1416NZ

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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    DMN2023UCB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, WLBGA
    4
    6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.564nF
    1.45W
    未说明
    未说明
    1
    10 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    1.3V @ 1mA
    3333pF @ 10V
    37nC @ 4.5V
    20ns
    24V
    29 ns
    6A
    12V
    Standard
    27mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDZ1416NZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, WLCSP
    4
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.7W
    未说明
    未说明
    1
    9.5 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    1.3V @ 250μA
    -
    17nC @ 4.5V
    12ns
    24V
    16 ns
    7A
    12V
    Standard
    23mOhm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    22.24mg
    SILICON
    e1
    yes
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    增强型MOSFET
    1.7W
    500mW
    SWITCHING
    7A
    1.14nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150μm
    1.6mm
    1.4mm
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