ON Semiconductor FDZ1416NZ
- 收藏
- 对比
FDZ1416NZ
1807-FDZ1416NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
4-XFBGA, WLCSP
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R
1最小包装量--
FDZ1416NZ详情
ON Semiconductor FDZ1416NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA, WLCSP
引脚数
4
质量
22.24mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
37 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
1.7W
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.7W
接通延迟时间
9.5 ns
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
晶体管应用
SWITCHING
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
24V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
输入电容
1.14nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
漏源电阻
23mOhm
高度
150μm
长度
1.6mm
宽度
1.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDZ1416NZ拓展信息











哦! 它是空的。