FDZ1416NZ
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ON Semiconductor FDZ1416NZ

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型号

FDZ1416NZ

utmel 编号

1807-FDZ1416NZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

4-XFBGA, WLCSP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R

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FDZ1416NZ
FDZ1416NZ ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R

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FDZ1416NZ详情

ON Semiconductor FDZ1416NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-XFBGA, WLCSP

  • 引脚数

    4

  • 质量

    22.24mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    37 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最大功率耗散

    1.7W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.7W

  • 接通延迟时间

    9.5 ns

  • 功率 - 最大

    500mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Common Drain

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.3V @ 250μA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    17nC @ 4.5V

  • 上升时间

    12ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    24V

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7A

  • 输入电容

    1.14nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Standard

  • 漏源电阻

    23mOhm

  • 高度

    150μm

  • 长度

    1.6mm

  • 宽度

    1.4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ON Semiconductor FDZ1416NZ.

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