登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

DMN2026UVT-7备选型号: DMN2028UVT-7

隐藏公共属性
型号:
品牌:
描述:
工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
操作温度
包装
已出版
JESD-609代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
无铅代码

DMN2026UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

16 Weeks
表面贴装
表面贴装
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6.2A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2015
e3
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Matte Tin (Sn)
未说明
未说明
N-Channel
24m Ω @ 6.2A, 4.5V
1.5V @ 250μA
887pF @ 10V
18.4nC @ 8V
20V
±10V
6.2A
ROHS3 Compliant
-
DMN2028UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

15 Weeks
表面贴装
表面贴装
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6.2A Ta
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
2015
e3
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Matte Tin (Sn)
260
30
N-Channel
24m Ω @ 6.2A, 4.5V
1.5V @ 250μA
856pF @ 10V
8.3nC @ 4.5V
20V
±8V
6.2A
ROHS3 Compliant
yes
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IRLMS2002TRPBF	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	SOT-23-6	MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP	对比
	FDC637BNZ	ON Semiconductor	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R	对比