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首页 全部分类 DMN2026UVT-7 vs IRLMS2002TRPBF

DMN2026UVT-7备选型号: IRLMS2002TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2026UVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    887pF @ 10V
    18.4nC @ 8V
    20V
    ±10V
    6.2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS2002TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    22nC @ 5V
    -
    ±12V
    6.5A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    SILICON
    HEXFET®
    6
    300mOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    20V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    R-PDSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    8.5 ns
    SWITCHING
    11ns
    16 ns
    1.2V
    12V
    20V
    20A
    1.2 V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    无铅
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