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首页 全部分类 DMN2028UVT-7 vs CPH6347-TL-W

DMN2028UVT-7备选型号: CPH6347-TL-W

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2028UVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
    N-Channel
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    856pF @ 10V
    8.3nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    6.2A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH6347-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    39m Ω @ 3A, 4.5V
    1.4V @ 1mA
    860pF @ 10V
    10.5nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    6A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Tin
    SILICON
    6
    防静电
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    48ns
    78 ns
    12V
    6A
    0.039Ohm
    24A
    20V
    无铅
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