DMN2230UQ-7备选型号: CPH3356-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 2A SOT2316 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-232A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel110mOhm @ 2.5A, 4.5V1V @ 250μA188pF @ 10V2.3nC @ 10V20V±12V2A188pF81mOhm110 mΩROHS3 Compliant--------------------
- Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin CPH T/R6 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2005活跃1 (Unlimited)--P-Channel137m Ω @ 1A, 4.5V1.4V @ 1mA250pF @ 10V3.3nC @ 4.5V20V±10V2.5A---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)TinSILICONe6yes3DUAL鸥翼not_compliantR-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5.7 nsSWITCHING11ns20 ns10V0.137Ohm20V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23 | 对比 |
| CPH3356-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin CPH T/R | 对比 | |
![]() | NDS335N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | 对比 |




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