Diodes Incorporated DMG2301LK-7
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DMG2301LK-7
671-DMG2301LK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
--最小包装量--
DMG2301LK-7详情
Diodes Incorporated DMG2301LK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
840mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
156pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
2.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.21Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG2301LK-7拓展信息
Diodes Incorporated
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