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首页 全部分类 DMN2230UQ-7 vs IRLML2246TRPBF

DMN2230UQ-7备选型号: IRLML2246TRPBF

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  • 端子位置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2230UQ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SOT-23
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    110mOhm @ 2.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    188pF @ 10V
    2.3nC @ 10V
    20V
    ±12V
    2A
    188pF
    81mOhm
    110 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    135m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    220pF @ 16V
    2.9nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    2.6A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    EAR99
    236MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    5.3 ns
    SWITCHING
    7.7ns
    16 ns
    -1.1V
    12V
    -20V
    26 ns
    -1.1 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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