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DMN30H4D0LFDE-7备选型号: DMN24H3D5L-7
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN22 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad550mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)N-Channel4 Ω @ 300mA, 10V2.8V @ 250μA187.3pF @ 25V7.6nC @ 10V300V±20V550mAROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT2322 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3480mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)N-Channel3.5 Ω @ 300mA, 10V2.5V @ 250μA188pF @ 25V6.6nC @ 10V240V±20V480mAROHS3 CompliantSILICON3DUAL鸥翼26030R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING0.48A240V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSP317PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 | 对比 |
 | FQT2P25TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.55A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | PCP1405-TD-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 | 对比 |
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