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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.388584
10
¥10.74395
100
¥10.135803
500
¥9.562078
1000
¥9.020824
Diodes Incorporated DMN24H3D5L-7
- 收藏
- 对比
DMN24H3D5L-7
671-DMN24H3D5L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN24H3D5L-7详情
Diodes Incorporated DMN24H3D5L-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
480mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
760mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
188pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
240V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
480mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.48A
DS 击穿电压-最小值
240V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN24H3D5L-7拓展信息
Diodes Incorporated
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