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首页 全部分类 DMN6070SFCL-7 vs DMP2160UFDB-7

DMN6070SFCL-7备选型号: DMP2160UFDB-7

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  • 漏源击穿电压
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMN6070SFCL-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    DMN6070
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.5A, 10V
    3V @ 250μA
    606pF @ 20V
    12.3nC @ 10V
    4.1ns
    ±20V
    11 ns
    3A
    20V
    3A
    0.085Ohm
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2160UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    11.51 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    70m Ω @ 2.8A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    536pF @ 10V
    6.5nC @ 4.5V
    12.09ns
    -
    12.09 ns
    3.8A
    12V
    -
    0.07Ohm
    -20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    HIGH RELIABILITY
    1.4W
    260
    40
    6
    1.4W
    20V
    13A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
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