DMN6070SFCL-7备选型号: FDME1023PZT
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 系列
- 无铅代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN23 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN6SILICON3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL无铅DMN6070S-PDSO-N31Single增强型MOSFETDRAIN3.5 nsN-ChannelSWITCHING85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA606pF @ 20V12.3nC @ 10V4.1ns±20V11 ns3A20V3A0.085Ohm60VROHS3 Compliant无铅-------------------
- MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench16 Weeks表面贴装表面贴装6-UFDFN Exposed Pad6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-----Dual增强型MOSFETDRAIN4.7 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING142m Ω @ 2.3A, 4.5V1V @ 250μA405pF @ 10V7.7nC @ 4.5V4.8ns-16 ns2.6A8V---20VROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)25.2mgPowerTrench®yesESD PROTECTION1.4W1.3W600mW20V-600mVMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-600 mV75 pF500μm1.6mm1.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | 对比 |
![]() | DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-UDFN | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN | 对比 |
| FDME1023PZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench | 对比 |





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