DMN6070SFCL-7备选型号: FDME1023PZT

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  • 终端形式
  • 基本部件号
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  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    DMN6070
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.5A, 10V
    3V @ 250μA
    606pF @ 20V
    12.3nC @ 10V
    4.1ns
    ±20V
    11 ns
    3A
    20V
    3A
    0.085Ohm
    60V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    -
    16 ns
    2.6A
    8V
    -
    -
    -20V
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    25.2mg
    PowerTrench®
    yes
    ESD PROTECTION
    1.4W
    1.3W
    600mW
    20V
    -600mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
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