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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.638804
500
¥0.46971
1000
¥0.39142
2000
¥0.359106
5000
¥0.33561
10000
¥0.3122
15000
¥0.301933
50000
¥0.296883
Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7
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- 对比
DMN62D0LFD-7
671-DMN62D0LFD-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-UDFN
大陆
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MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN62D0LFD-7详情
Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
310mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4V
Power Dissipation (Max)
480mW Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
接通延迟时间
2.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 100mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
31pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
500nC @ 4.5V
上升时间
2.1ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.7 ns
连续放电电流(ID)
310mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
高度
480μm
长度
1.25mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN62D0LFD-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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