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首页 全部分类 DMN63D1LDW-7 vs NTR5103NT1G

DMN63D1LDW-7备选型号: NTR5103NT1G

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN63D1LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    310mW
    未说明
    未说明
    310mW
    2 N-Channel (Dual)
    2 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    30pF @ 25V
    0.3nC @ 4.5V
    60V
    250mA
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTR5103NT1G
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5mO Small Signal MOSFET
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    2.5 Ω @ 240mA, 10V
    2.6V @ 250μA
    40pF @ 25V
    0.81nC @ 5V
    -
    260mA
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    3
    SILICON
    260mA Ta
    3
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    300mW
    1.7 ns
    SWITCHING
    1.2ns
    ±30V
    3.6 ns
    30V
    0.26A
    60V
    150°C
    1.11mm
    无铅
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