Diodes Incorporated DMN63D1LDW-7
- 收藏
- 对比
DMN63D1LDW-7
671-DMN63D1LDW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
1最小包装量--
DMN63D1LDW-7详情
Diodes Incorporated DMN63D1LDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
310mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
310mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
30pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
250mA
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN63D1LDW-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。