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DMN65D8LDW-7备选型号: 2N7002DW-7-F
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT36315 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363Tin66.010099mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR996OhmHIGH RELIABILITY300mW鸥翼26040DMN65D8LDW6增强型MOSFET300mW3.3 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING6 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA22pF @ 25V0.87nC @ 10V3.2ns60V6.3 ns180mA20V0.15A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-36320 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363Tin66.010099mgSILICON230mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR997.5OhmHIGH RELIABILITY200mW鸥翼26040-6增强型MOSFET200mW7 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V2V @ 250μA50pF @ 25V----115mA20V0.115A70VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-Standard1mm2.2mm1.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT60V115mA2Dual310mW2V60V2 V5 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 | 对比 |
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 对比 |
| DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
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