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首页 全部分类 DMN65D8LDW-7 vs BSD314SPEH6327XTSA1

DMN65D8LDW-7备选型号: BSD314SPEH6327XTSA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 元素配置
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tin
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    6Ohm
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    DMN65D8LDW
    6
    增强型MOSFET
    300mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    3.2ns
    60V
    6.3 ns
    180mA
    20V
    0.15A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD314SPEH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    Tin
    6
    -
    -
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    5.1 ns
    P-Channel
    -
    140m Ω @ 1.5A, 10V
    2V @ 6.3μA
    294pF @ 15V
    2.9nC @ 10V
    3.9ns
    30V
    -
    1.5A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    800μm
    2mm
    1.25mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    OptiMOS™
    Single
    无卤素
    ±20V
    -30V
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