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首页 全部分类 DMN65D8LDW-7 vs DMN63D8LDW-7

DMN65D8LDW-7备选型号: DMN63D8LDW-7

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 功率耗散
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Diodes Incorporated
    DMN65D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tin
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    6Ohm
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    DMN65D8LDW
    6
    增强型MOSFET
    300mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    6 Ω @ 115mA, 10V
    2V @ 250μA
    22pF @ 25V
    0.87nC @ 10V
    3.2ns
    60V
    6.3 ns
    180mA
    20V
    0.15A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LDW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tin
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    300mW
    鸥翼
    260
    40
    DMN63D8L
    -
    增强型MOSFET
    300mW
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    22pF @ 25V
    870nC @ 10V
    3.2ns
    30V
    6.3 ns
    220mA
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    AEC-Q101
    Dual
    1.5V
    4.5Ohm
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