DMN66D0LDW-7备选型号: DMN65D8LDW-7
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET 250mW 60Vdss表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SOT-3636.010099mg115mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012011活跃1 (Unlimited)150°C-55°C250mW2Dual250mW10 ns250mW Ta2 N-Channel (Dual)6Ohm @ 115mA, 5V2V @ 250μA23pF @ 25V60V115mA20V60V23pFStandard6Ohm5 Ω1mm2.2mm1.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------------
- MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-6.010099mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2013活跃1 (Unlimited)--300mW--300mW3.3 ns-2 N-Channel (Dual)6 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA22pF @ 25V60V180mA20V60V-逻辑电平门--1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅15 WeeksTinSILICONe3yes6EAR996OhmHIGH RELIABILITY鸥翼26040DMN65D8LDW6增强型MOSFETSWITCHING0.87nC @ 10V3.2ns6.3 ns0.15AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | 对比 |
![]() | BSS138DW-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount | 对比 |



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