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DMN66D0LT-7备选型号: DMN55D0UT-7
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R16 Weeks表面贴装表面贴装SOT-52332.012816mgSILICON115mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼2604031Single增强型MOSFET200mW10 nsN-ChannelSWITCHING5 Ω @ 115mA, 10V2V @ 250μA23pF @ 25V60V±20V115mA20V6Ohm60V750μm1.6mm800μm无SVHC无ROHS3 Compliant---- MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-52318 Weeks表面贴装表面贴装SOT-52337.994566mgSILICON160mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼2604031Single增强型MOSFET200mW-N-Channel-4 Ω @ 100mA, 4V1V @ 250μA25pF @ 10V-±12V160mA12V4Ohm-750μm1.6mm800μm无SVHC无ROHS3 Compliant800mV50V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002T-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 | 对比 |
| DMN55D0UT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 | 对比 |
| DMN601TK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523 | 对比 |
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