Diodes Incorporated DMN55D0UT-7

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-523

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 100mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 10V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

160mA

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

漏源击穿电压

50V

高度

750μm

长度

1.6mm

宽度

800μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅