注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.220282
10
¥0.207812
100
¥0.19605
500
¥0.184953
1000
¥0.174484
Diodes Incorporated DMN601TK-7
- 收藏
- 对比
DMN601TK-7
671-DMN601TK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-523
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN601TK-7详情
Diodes Incorporated DMN601TK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-523
引脚数
3
质量
2.012816mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOW CAPACITANCE
电压 - 额定直流
60V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
300mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
300mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
2Ohm
漏源击穿电压
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
750μm
长度
1.6mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMN601TK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。