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DMNH6042SK3-13备选型号: DMTH10H030LK3-13
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 系列
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
MOSFET NCH 60V 25A TO25217 WeeksTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD表面贴装表面贴装SILICON2W Ta3V @ 250μATape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101-55°C~175°C TJ2016e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING50m Ω @ 6A, 10V492pF @ 25V8.8nC @ 10V60V±20V25A0.065Ohm40A60V65 mJnot_compliantROHS3 Compliant- MOSFET NCH 100V 28A TO25227 WeeksTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD表面贴装表面贴装SILICON2.1W Ta3.5V @ 250μATape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101-55°C~175°C TJ2016e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING30m Ω @ 20A, 10V1871pF @ 50V33.3nC @ 10V100V±20V28A0.045Ohm50A100V85 mJnot_compliantROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | 对比 |
| DMTH10H030LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | 对比 |
 | FDD850N10LD | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSF N CH 100V 15.7A DPAK | 对比 |
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