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首页 全部分类 DMP1045UFY4-7 vs DMG8601UFG-7

DMP1045UFY4-7备选型号: DMG8601UFG-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP1045UFY4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    Single
    1
    增强型MOSFET
    14 ns
    P-Channel
    32m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1291pF @ 10V
    23.7nC @ 8V
    22ns
    12V
    ±8V
    75 ns
    5.5A
    8V
    -12V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG8601UFG-7
    Diodes Incorporated
    Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    2
    增强型MOSFET
    53 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    23m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.05V @ 250μA
    143pF @ 10V
    8.8nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    -
    234 ns
    6.1A
    12V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Gold
    SILICON
    yes
    5
    HIGH RELIABILITY
    920mW
    无铅
    260
    40
    DMG8601UFG
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SWITCHING
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无铅
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