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DMP1045UFY4-7备选型号: DMP2066UFDE-7
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-315 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN35.5A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)Single1增强型MOSFET14 nsP-Channel32m Ω @ 4A, 4.5V1291pF @ 10V23.7nC @ 8V22ns12V±8V75 ns5.5A8V-12V无SVHCROHS3 Compliant-----------------
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad6660mW Ta1.1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-1增强型MOSFET13.7 nsP-Channel36m Ω @ 4.6A, 4.5V1537pF @ 10V14.4nC @ 4.5V14ns-±12V35.5 ns6.2A12V20V无SVHCROHS3 CompliantSILICONyes3HIGH RELIABILITYDUAL26040S-PDSO-N3SingleDRAINSWITCHING4.2A580μm2.05mm2.05mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG8601UFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-PowerUDFN | Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8 | 对比 |
| DMP2066UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | 对比 |
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