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首页 全部分类 DMP1046UFDB-13 vs IRLML6401TRPBF

DMP1046UFDB-13备选型号: IRLML6401TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 终端
  • 电阻
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP1046UFDB-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
    15 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.4W
    无铅
    未说明
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    61m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    915pF @ 6V
    17.9nC @ 8V
    11.5ns
    12V
    26.4 ns
    3.8A
    8V
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6401TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    4.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    增强型MOSFET
    -
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.3A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    830pF @ 10V
    15nC @ 5V
    32ns
    12V
    210 ns
    -4.3A
    8V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    SMD/SMT
    50mOhm
    HIGH RELIABILITY
    -12V
    DUAL
    -4.3A
    1
    Single
    1.3W
    ±8V
    -550mV
    -12V
    -12V
    150°C
    -550 mV
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 对比