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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.933093
10
¥3.710461
100
¥3.500442
500
¥3.302299
1000
¥3.115375
Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13
- 收藏
- 对比
DMP1046UFDB-13
671-DMP1046UFDB-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP1046UFDB-13详情
Diodes Incorporated DMP1046UFDB-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
27.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.4W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.7 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
61m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
915pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.9nC @ 8V
上升时间
11.5ns
漏源电压 (Vdss)
12V
下降时间(典型值)
26.4 ns
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP1046UFDB-13拓展信息
Diodes Incorporated
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