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首页 全部分类 DMP1055UFDB-7 vs IRLML6401TRPBF

DMP1055UFDB-7备选型号: IRLML6401TRPBF

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  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP1055UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.36W
    未说明
    未说明
    1.36W
    2 P-Channel (Dual)
    59m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1028pF @ 6V
    20.8nC @ 8V
    12V
    3.9A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6401TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    30
    -
    P-Channel
    50m Ω @ 4.3A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    830pF @ 10V
    15nC @ 5V
    12V
    -4.3A
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    SILICON
    4.3A Ta
    e3
    3
    SMD/SMT
    50mOhm
    HIGH RELIABILITY
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    -4.3A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    11 ns
    SWITCHING
    32ns
    ±8V
    210 ns
    -550mV
    8V
    -12V
    -12V
    150°C
    -550 mV
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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