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DMP10H400SEQ-13备选型号: DMN10H120SE-13
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT22317 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA2.3A Ta 6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明P-Channel250m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA1239pF @ 25V17.5nC @ 10V100V±20V6AROHS3 Compliant------------- MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT22322 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel110m Ω @ 3.3A, 10V3V @ 250μA549pF @ 50V10nC @ 10V100V±20V3.6AROHS3 CompliantSILICON4DUAL鸥翼R-PDSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.11Ohm16A100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | 对比 |
 | PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |
| PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 对比 |
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