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首页 全部分类 DMP10H400SEQ-13 vs PMT200EN,115

DMP10H400SEQ-13备选型号: PMT200EN,115

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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Diodes Incorporated
    DMP10H400SEQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    2.3A Ta 6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    P-Channel
    250m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    1239pF @ 25V
    17.5nC @ 10V
    100V
    ±20V
    6A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMT200EN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
    -
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    N-Channel
    235m Ω @ 1.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    475pF @ 80V
    10nC @ 10V
    100V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    4
    Single
    增强型MOSFET
    1.8A
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