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DMP10H4D2S-7备选型号: NX138BKR
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 引脚数量
- 参考标准
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT2317 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON270mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET380mW3.3 nsP-ChannelSWITCHING4.2 Ω @ 500mA, 10V3V @ 250μA87pF @ 25V1.8nC @ 10V100V±20V-270mA20V0.27A-100V150°C1.1mmROHS3 Compliant-----
MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON265mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016--活跃1 (Unlimited)3---DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 10V1.5V @ 250μA20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V60V±20V265mA-0.265A---ROHS3 Compliant3IEC-60134TO-236AB3.8Ohm60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| BSS138Q-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V SOT23 | 对比 |
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