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首页 全部分类 DMP1245UFCL-7 vs DMN2016LFG-7

DMP1245UFCL-7备选型号: DMN2016LFG-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP1245UFCL-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
    17 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    SILICON
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    6
    R-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15.2 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 4A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    1357.4pF @ 10V
    26.1nC @ 8V
    33.11ns
    12V
    ±8V
    217.64 ns
    6.6A
    8V
    0.029Ohm
    -12V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2016LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    S-PDSO-N5
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    2.6 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    18m Ω @ 6A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    1472pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    13.2ns
    20V
    -
    46.8 ns
    5.2A
    8V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    yes
    18mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    770mW
    260
    40
    DMN2016L
    AEC-Q101
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无铅
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