DMP2018LFK-7备选型号: DMN2016LHAB-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUDFN6SILICON9.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITYDUAL260406R-PDSO-N41Single增强型MOSFETDRAIN22.8 nsP-ChannelSWITCHING16m Ω @ 3.6A, 4.5V1.2V @ 200μA4748pF @ 10V113nC @ 10V29.8ns±12V100.6 ns9.2A12V20V90A580μm2.55mm2.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN14 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad6-7.5A-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013--活跃1 (Unlimited)---------2Dual--6.9 ns2 N-Channel (Dual) Common Drain-15.5mOhm @ 4A, 4.5V1.1V @ 250μA1550pF @ 10V16nC @ 4.5V15.5ns-12 ns7.5A12V20V-600μm2.05mm3.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant-U-DFN2030-6150°C-55°C1.2W1.2W20V1.55nF逻辑电平门30mOhm15.5 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | 对比 |
![]() | DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUDFN | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN | 对比 |
![]() | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |






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