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首页 全部分类 DMP2021UFDF-7 vs FDZ1323NZ

DMP2021UFDF-7备选型号: FDZ1323NZ

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMP2021UFDF-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    S-PDSO-N6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2760pF @ 15V
    59nC @ 8V
    20V
    ±8V
    9A
    9A
    0.016Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDZ1323NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFBGA, WLCSP
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    BOTTOM
    BALL
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    13m Ω @ 1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    2055pF @ 10V
    24nC @ 10V
    20V
    -
    10A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6
    50mg
    PowerTrench®
    yes
    2W
    Single
    2W
    12 ns
    500mW
    13ns
    13 ns
    12V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    380 pF
    150μm
    2.3mm
    1.3mm
    无
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