ON Semiconductor FDZ1323NZ
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FDZ1323NZ
1807-FDZ1323NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFBGA, WLCSP
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MOSFET Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
--最小包装量--
FDZ1323NZ详情
ON Semiconductor FDZ1323NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA, WLCSP
引脚数
6
质量
50mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2011
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
2W
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
12 ns
功率 - 最大
500mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2055pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
上升时间
13ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
380 pF
高度
150μm
长度
2.3mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDZ1323NZ拓展信息









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