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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.153758
10
¥8.635619
100
¥8.146813
500
¥7.685672
1000
¥7.250637
Diodes Incorporated DMP2022LSSQ-13
- 收藏
- 对比
DMP2022LSSQ-13
671-DMP2022LSSQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
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MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2022LSSQ-13详情
Diodes Incorporated DMP2022LSSQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.3A Ta
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.1V @ 250μA
操作温度
-55°C~155°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2575pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
9.3A
漏极-源极导通最大电阻
0.013Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
35A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2022LSSQ-13拓展信息
Diodes Incorporated
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