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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.675003
10
¥2.523586
100
¥2.380748
500
¥2.245985
1000
¥2.118853
Diodes Incorporated DMN2013UFX-7
- 收藏
- 对比
DMN2013UFX-7
671-DMN2013UFX-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VFDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2013UFX-7详情
Diodes Incorporated DMN2013UFX-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VFDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Turn Off Delay Time
42.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
780mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
8.6 ns
功率 - 最大
2.14W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.5m Ω @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2607pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57.4nC @ 8V
上升时间
20.3ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
13.7 ns
连续放电电流(ID)
10A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2013UFX-7拓展信息
Diodes Incorporated
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