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首页 全部分类 DMP2060UFDB-7 vs SI3443DV

DMP2060UFDB-7备选型号: SI3443DV

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP2060UFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    1.4W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.9A, 4.5V
    1.4V @ 250μA
    881pF @ 10V
    18nC @ 8V
    20V
    3.2A
    0.09Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SI3443DV
    ON Semiconductor
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    640pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    20V
    -4A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    6
    36mg
    PowerTrench®
    yes
    DUAL
    Single
    1.6W
    11 ns
    19ns
    ±8V
    19 ns
    -700mV
    8V
    4A
    -20V
    无SVHC
    无
    无铅
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