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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.525613
10
¥8.986426
100
¥8.477764
500
¥7.997888
1000
¥7.545175
Diodes Incorporated DMP2060UFDB-7
- 收藏
- 对比
DMP2060UFDB-7
671-DMP2060UFDB-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2060UFDB-7详情
Diodes Incorporated DMP2060UFDB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
1.4W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
1.4W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 2.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
881pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 8V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
3.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.09Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMP2060UFDB-7拓展信息
Diodes Incorporated
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