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首页 全部分类 DMP2066LSN-7 vs CPH3456-TL-W

DMP2066LSN-7备选型号: CPH3456-TL-W

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-30代码
  • 配置
  • DS 击穿电压-最小值
  • Diodes Incorporated
    DMP2066LSN-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
    15 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    SILICON
    1.25W Ta
    1.2V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    4.4 ns
    P-Channel
    40m Ω @ 4.6A, 4.5V
    820pF @ 15V
    10.1nC @ 4.5V
    9.9ns
    20V
    ±12V
    9.9 ns
    4.6A
    12V
    0.04Ohm
    -20V
    1.7mm
    3.1mm
    1.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    CPH3456-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R
    7 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    SILICON
    3.5A Ta
    1.3V @ 1mA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    150°C TJ
    e6
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    6.2 ns
    N-Channel
    71m Ω @ 1.5A, 4.5V
    260pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    19ns
    20V
    ±12V
    28 ns
    3.5A
    12V
    0.071Ohm
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    Tin
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    20V
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