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首页 全部分类 DMP21D0UFB-7 vs BSD235NH6327XTSA1

DMP21D0UFB-7备选型号: BSD235NH6327XTSA1

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  • 工厂交货时间
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMP21D0UFB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    770mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    P-Channel
    495m Ω @ 400mA, 4.5V
    700mV @ 250μA
    76.5pF @ 10V
    1.5nC @ 8V
    ±8V
    770mA
    20V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD235NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    2 N-Channel (Dual)
    350m Ω @ 950mA, 4.5V
    1.2V @ 1.6μA
    63pF @ 10V
    0.32nC @ 4.5V
    -
    950mA
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    OptiMOS™
    6
    EAR99
    雪崩 额定
    500mW
    鸥翼
    BSD235
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    500mW
    3.8 ns
    无卤素
    3.6ns
    700mV
    12V
    20V
    0.95A
    0.35Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无
    无铅
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