Diodes Incorporated DMG1012UW-7
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DMG1012UW-7
671-DMG1012UW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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N-Channel 20 V 1 A 0.45 O Surface Mount Enhancement Mode Power MosFet - SOT-323
--最小包装量--
DMG1012UW-7详情
Diodes Incorporated DMG1012UW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
290mW Ta
Turn Off Delay Time
26.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
290mW
接通延迟时间
5.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
450m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60.67pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 4.5V
上升时间
7.4ns
Vgs(最大值)
±6V
下降时间(典型值)
12.3 ns
连续放电电流(ID)
1A
栅极至源极电压(Vgs)
6V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.45Ohm
漏源击穿电压
20V
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMG1012UW-7拓展信息
Diodes Incorporated
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