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首页 全部分类 DMP3085LSS-13 vs IRF8113GPBF

DMP3085LSS-13备选型号: IRF8113GPBF

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    DMP3085LSS-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    AEC-Q101
    Single
    增强型MOSFET
    4.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 5.3A, 10V
    3V @ 250μA
    563pF @ 25V
    5.2nC @ 4.5V
    5ns
    30V
    ±20V
    14.6 ns
    3.8A
    20V
    0.07Ohm
    30V
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    13 ns
    N-Channel
    -
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    30V
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    20V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    2.5W
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    2.2 V
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