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首页 全部分类 DMS2085LSD-13 vs STS9P2UH7

DMS2085LSD-13备选型号: STS9P2UH7

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 系列
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMS2085LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    3.3 ns
    P-Channel
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.2V @ 250μA
    353pF @ 15V
    7.8nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    6.8 ns
    3.3A
    20V
    20V
    Schottky Diode (Isolated)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS9P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    506.605978mg
    9A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    1
    Single
    12.5 ns
    P-Channel
    22.5m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2390pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    30.5ns
    ±8V
    84.5 ns
    9A
    8V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    STripFET™
    STS9P
    20V
    9A
    无铅
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